美光科技公布2026财年第四财季业绩免息专业配资平台，全部核心指标均超出业绩指引上限。
第四财季实现营收542.3亿美元，环比大涨31%，同比暴涨379%；非GAAP毛利率高达87.0%。
本财季非GAAP净利润383.98亿美元，摊薄每股收益33.42美元；经营现金流达到439.73亿美元，调整后自由现金流332.0亿美元，期末公司流动性储备高达754.8亿美元。
完整2026财年，美光总营收飙升至1331.88亿美元，同比增长256%；其中DRAM全年营收突破千亿美元大关，达1006.79亿美元。
AI驱动四大业务全线走高，数据中心SSD单季营收近百亿美元
AI算力需求拉动各事业部营收集体创新高：
1． 核心数据中心业务（CDBU）营收180.02亿美元，环比暴增56%，毛利率90%。数据中心SSD单季营收接近100亿美元，较去年同期增长超10倍，公司预计2026年将连续第五年拿下数据中心SSD市占率历史新高。
2． 云内存业务CMBU（以HBM为主）营收162.83亿美元，毛利率83%。HBM出货增速跑赢公司整体营收；美光已锁定2027年绝大多数HBM比特供应量，产品售价同比大幅上行，HBM与普通DRAM的毛利率差距持续收窄。公司正与英伟达联合开发定制NVHBM（HBM4E），将用于下一代GPU与NVLink Fusion平台。
3． 移动与客户端业务MCBU营收131.14亿美元，毛利率90%；新一代1γ DRAM产品已占到该板块近半数营收。
4． 汽车与嵌入式AEBU营收68.24亿美元，环比增长47%。管理层看好物理AI赛道，L4以上自动驾驶内存需求超200GB，人形机器人存储需求对标高阶自动驾驶，多家客户已经开始采样下一代存储产品。
分产品维度：DRAM本季营收397.71亿美元，ASP环比高双位数上涨；NAND营收141.02亿美元，ASP环比大涨30%，比特出货环比增长10%。
手握320亿客户长单！26份战略锁量协议，部分合约延至2031年
美光披露战略客户协议（SCA）进展：目前已经签署26份多年期“照付不议”长单，预计到2030年，长单收入占公司总营收比重将超过35%。
客户给出的财务承诺总额达到320亿美元，绝大部分为现金定金。四分之三的长单设置价格地板与天花板，剩余部分跟随市场动态议价；已有部分合约将期限拓展至2031年，新签订长单均参考当前市场高价执行。长单稳定了美光长期供给规划，同时给下游客户锁定产能。
下财季指引：Q1 FY2027营收看615亿美元，毛利率为本财年谷底
美光给出2027财年第一财季业绩展望（非‑GAAP）：
- 营收：615亿美元，上下浮动15亿美元
- 毛利率约86.25%，管理层提示Q1将是FY2027全年毛利率低点，后续季度毛利率再度回升
- 摊薄每股收益38.15美元，浮动±1美元，有效税率约15.5%
FY2027整体判断：公司预计全年营收逐季环比增长，再创年度业绩新高；全年运营费用预计增加约25亿美元，主要投向AI相关研发以及员工绩效激励。受Q4计提高额员工奖金存货结转影响，成本压力将集中体现在2027财年Q1。分红方面，每股0.15美元将于10月29日发放。
行业重磅判断：存储供需缺口持续，尚未看到市场重回平衡时间点
美光管理层给出存储周期核心判断：2027‑2028年DRAM、NAND行业将持续供给紧张，目前看不到供需回归平衡的明确时间窗口。
即便全行业推进洁净室扩产，叠加AI带来持续超预期的增量需求，结构性缺口依旧存在。
- DRAM：2026行业比特出货中双位数增长；2027‑2028降至低双位数增长，供给持续受限。
- NAND：2026行业比特出货低20%+增长；2027‑2028维持中20%+增速，供不应求。
- HBM比特出货增速将持续显著高于普通DRAM至2028年。
全球多点砸钱扩产，资本开支上调，多家新工厂2027‑2030陆续落地
面对紧缺格局，美光决定上调2027财年资本开支计划，新增资金主要投向洁净室土建，保障2028年末之后新增产能释放。
全球产能布局节点：
- 美国：ID1工厂预计2027年年中产出晶圆；ID2工厂2028年末；纽约新工厂要到2030年才能投产。
- 新加坡：HBM先进封装厂房进度超前，2027年初投产；全新NAND厂房2028下半年投产。
- 日本DRAM新工厂破土，2028年末初步产出。
公司提示：新建晶圆厂从产出晶圆到产能爬坡贡献营收，需要经历多个季度。
管理层人事更新
财报同步公布高管任命：
1． 马尼什·巴蒂亚（Manish Bhatia）出任总裁兼首席运营官COO，全盘负责业务单元、全球运营，承担公司整体盈亏责任。
2． 斯科特·德布尔（Scott DeBoer）博士出任总裁兼首席技术与产品官，掌管全公司技术路线图、研发以及美光研究院。
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责任编辑：李桐 免息专业配资平台
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